El Arseniuro de Galio
La principal alternativa al silicio para la alimentación de pequeños dispositivos electrónicos.
Ventajas
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Desde un punto de vista científico, que no comercial, el arseniuro de galio alcanza una mayor eficiencia de conversión de la energía solar en energía eléctrica que el silicio, el semiconductor más utilizado en las grandes instalaciones fotovoltaicas (Si cristalino) o alimentación de pequeños dispositivos electrónicos (Si amorfo) (para más información ver el apartado de DESVENTAJAS de la página dedicada al silicio).
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El crecimiento de las películas de arseniuro de galio, que se lleva a cabo mediante una técnica conocida como Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, es muy rápido, pudiendo llegar a producirse centenares de watios de estas células solares cada hora.
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Las células de arseniuro de galio crecidas por esta técnica pueden ser flexibles (ver imagen inferior), característica muy útil en la alimentación de pequeños dispositivos electrónicos.
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El arseniuro de galio permite llegar a niveles de concentración luminosa muy altos, puesto que puede operar a temperaturas de hasta 450ºC, muy por encima del límite de degradación del silicio.
DESVentajas
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Baja estabilidad e integridad estructural, que tiene que ser aportada por el sustrato sobre el que se deposita la célula solar de arseniuro de galio ya crecida.
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Sus técnicas de producción a gran escala, aunque avanzadas, no llegan al nivel de desarrollo de las del silicio, perfeccionadas durante décadas.
En la imagen, la célula solar de GaAs de mayor eficiencia hasta el momento (fabricada por Alta Devices). Es flexible, perfecta para ser transportada y adaptada a diferentes superficies.
Mayor eficiencia alcanzada hasta el momento
29.1%
(30.5% utilizando concentración)
Bibliografía y otros enlaces interesantes: